Тип модуля : діодно-тиристорний;

Структура напівпровідника : подвійна лінійна;

Зворотна напруга макс. : 2.2кВ;

Струм провідності : 215А;

Корпус : BG-PB50-1;

Пряма напруга макс. : 1.8В;

Струм в імпульсі макс. : 7кА;

Струм вентиля : 200мА;

Монтаж : пригвинчуваний;

Електричний монтаж : пригвинчуваний;

Струм провідності макс. : 410А;

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES;